外延生长的二氧化铬（CrO2)薄膜在透射电镜下的表征

刘潇宇; 杨天中; 郎佩琳; 姚湲; 沈希; 禹日成

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外延生长的二氧化铬（CrO2)薄膜在透射电镜下的表征

首发时间：2023-03-31

刘潇宇 ¹
刘潇宇（1997-）,女，学生，主要研究方向:电子显微学
杨天中 ² 郎佩琳 ¹ 姚湲 ²
姚湲，(1973-)，男，中国科学院物理研究所副研究员，主要研究方向：电子显微学、纳米材料的制备与表征
沈希 ² 禹日成 ²

1、北京邮电大学理学院，北京 100876
2、中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190

摘要：（通过化学气相沉积（CVD）方法在蓝宝石Al2O3上生长外延二氧化铬（CrO2）薄膜。采用透射电子显微镜（TEM）表征了外延CrO2的界面结构，并利用电子能量损失谱（EELS）定性分析了薄膜中铬价态的空间分布。在CrO2与底物的界面处澄清了不均匀的富氧Cr2O3过渡层。

关键词： CrO2 ; Transmission electron microscopy ; EELS

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TEM characterization of epitaxial chromium dioxide (CrO2) film

Liu Xiaoyu ¹
刘潇宇（1997-）,女，学生，主要研究方向:电子显微学
Yang Tianzhong ² LangPeilin ¹ Yao Yuan ²
姚湲，(1973-)，男，中国科学院物理研究所副研究员，主要研究方向：电子显微学、纳米材料的制备与表征
Shen Xi ² Yu Richeng ²

1、School of science,Beijing University of Post and Telecommunications,Beijing 100876
2、Beijing National Laboratory of Condensed Matter Physics,Institute of Physics,China cademy of Sciences,Beijing 100190

Abstract：Epitaxial chromium dioxide (CrO2) film was grown on the sapphire Al2O3 by chemical vapor deposition (CVD) method. The interfacial structure of epitaxial CrO2 was characterized by transmission electron microscopy (TEM), and the spatial distribution of chromium valence in the film was qualitatively analyzed by electron energy loss spectroscopy (EELS). An inhomogeneous oxygen-rich Cr2O3 transition layer was clarified at the interface between CrO2 and the substrate.

Keywords： CrO2 1 Transmission electron microscopy 2 EELS 3

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刘潇宇，杨天中，郎佩琳，等. 外延生长的二氧化铬（CrO2)薄膜在透射电镜下的表征[EB/OL]. 北京：中国科技论文在线 [2023-03-31]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/202303-367.

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论文编号	202303-367
论文题目	外延生长的二氧化铬（CrO2)薄膜在透射电镜下的表征
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