反应离子刻蚀氮化硅与二氧化硅工艺的研究

王飘; 张大梁; 李经纬

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反应离子刻蚀氮化硅与二氧化硅工艺的研究

首发时间：2022-04-01

王飘 ¹
王飘(1997-)，男，硕士研究生，电子显微方法学
张大梁 ¹
张大梁(1980-)，男，教授、博导，电子显微学方法学
李经纬 ¹
李经纬(1989-)，男，助理研究员，电子显微学

1、重庆大学化学化工学院，重庆 400044

摘要：氮化硅与二氧化硅常作为集成电路钝化层，其刻蚀是集成电路分析必要过程而至关重要。本文探究了反应离子刻蚀过程中CF4刻蚀气体的流量比、射频功率对刻蚀质量的影响。利用聚焦离子束扫描电子显微镜表征了刻蚀形貌、表面均匀性并计算了刻蚀速率。研究发现：在CF4流量为150 sccm，O2流量为0 sccm，载气Ar流量为50 sccm，射频功率为200 W的工艺参数下效果最好。氮化硅和二氧化硅平均刻蚀速率分别达到100 nm/min与60 nm/min，且刻蚀后表面形貌均匀。

关键词：反应离子刻蚀氮化硅二氧化硅。

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Study on RIE of Silicon Nitride and Silicon Dioxide

Wang Piao ¹
王飘(1997-)，男，硕士研究生，电子显微方法学
Zhang Daliang ¹
张大梁(1980-)，男，教授、博导，电子显微学方法学
Li Jingwei ¹
李经纬(1989-)，男，助理研究员，电子显微学

1、School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044

Abstract：Silicon nitride and silicon dioxide are often used as passivation layers of integrated circuits, and their etching is a necessary process for the analysis of integrated circuits. In this paper, the effects of gas flow ratio and radio frequency power on the etching quality of CF4 during reactive ion etching were investigated. The etching morphology and surface uniformity were characterized by focused ion beam scanning electron microscope, and the etching rate was calculated. It is found that when the CF4 flow rate is 150 sccm, O2 and the flow rate is 0 sccm, the carrier gas Ar flow rate is 50 sccm and the radio frequency power is 200 W, the effect is the best. The average etching rates of silicon nitride and silicon dioxide are 100 nm/min and 60 nm/min respectively, and the surface morphology is uniform after etching.

Keywords： Reactive Ion Etching Silicon Nitride Silicon Dioxide.

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王飘，张大梁，李经纬. 反应离子刻蚀氮化硅与二氧化硅工艺的研究[EB/OL]. 北京：中国科技论文在线 [2022-04-01]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/202204-38.

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论文编号	202204-38
论文题目	反应离子刻蚀氮化硅与二氧化硅工艺的研究
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