硼扩散碳化硅表面氧化硼的化学清洗及机械抛光

王元玺; 刘兴隆; 夏晓川; 梁红伟

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硼扩散碳化硅表面氧化硼的化学清洗及机械抛光

首发时间：2020-05-21

王元玺 ¹
王元玺（1994-），男，硕士研究生，主要研究方向：SiC基中子辐射探测器
刘兴隆 ¹
刘兴隆（1996-），男，硕士研究生，主要研究方向：BN基深紫外光电探测器研究
夏晓川 ¹
夏晓川(1982-)，男，副教授、博导，主要研究方向：宽禁带半导体核辐射探测器
梁红伟 ¹

1、大连理工大学微电子学院，大连 116024

摘要：采用蒸发溶剂法在碳化硅样品表面均匀涂覆一层氧化硼，然后在650℃（30min）-1250℃（60min）-1450℃（30min）阶梯温度条件下，在氧气氛围中对碳化硅进行硼扩散处理。由金相显微镜照片观察可见，高温扩散处理后在碳化硅表面存在一层玻璃化的氧化硼层。采用常规BOE或HF溶液化学清洗后样品表面仍有残留。需采用机械抛光的方法对表面做进一步处理。金相显微镜照片显示，处理后样品表面的残留物被去除。

关键词：微电子学与固体电子学碳化硅硼扩散机械抛光表面处理

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Chemical cleaning and mechanical polishing of boron oxide on the surface of SiC after boron diffusion

WANG Yuanxi ¹
王元玺（1994-），男，硕士研究生，主要研究方向：SiC基中子辐射探测器
LIU Xinglong ¹
刘兴隆（1996-），男，硕士研究生，主要研究方向：BN基深紫外光电探测器研究
XIA Xiaochuan ¹
夏晓川(1982-)，男，副教授、博导，主要研究方向：宽禁带半导体核辐射探测器
LIANG Hongwei ¹

1、School of Microelectronics, Dalian University of Technology, Dalian 116024

Abstract：A layer of boron oxide was uniformly coated on the surface of silicon carbide by evaporation solvent method, and then boron diffusion treatment of silicon carbide was carried out in oxygen atmosphere at the step temperature of 650 ℃ (30min)-1250 ℃ (60min)-1450 ℃ (30min). From the metallographic microscope photos, it can be seen that there is a vitrified boron oxide layer on the surface of silicon carbide after high temperature diffusion treatment. There are still residues on the surface of the sample after chemical cleaning with conventional BOE or HF solution. The surface needs to be further treated by mechanical polishing. The metallographic microscope photos show that the residue on the treated sample surface is removed.

Keywords： Microelectronics and solid-state electronics, SiC, boron diffusion, mechanical polishing, surface treatment

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王元玺，刘兴隆，夏晓川，等. 硼扩散碳化硅表面氧化硼的化学清洗及机械抛光[EB/OL]. 北京：中国科技论文在线 [2020-05-21]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/202005-156.

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论文编号	202005-156
论文题目	硼扩散碳化硅表面氧化硼的化学清洗及机械抛光
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