大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究

宋庆文; 张玉明

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大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究

首发时间：2017-04-24

宋庆文 ¹
宋庆文(1983年9月),男,副教授,硕导,主要研究方向:宽禁带半导体材料与器件
张玉明 ²

1、西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院，西安 710071
2、西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

摘要：本文利用CVD方法生长厚度为10μm 的4H-SiC低掺杂同质外延材料，研制了有源区面积为2mmx2mm的肖特基结构功率整流二极管（Schottky Barrier diode-SBD）；采用泰克功率测试仪371B测试了器件的正向导通和击穿特性。测试结果表明，器件开启电压为0.85V；在正向电压5.5V时获得正向导通电流70A，对应电流密度为1750A/cm2; 反向最大击穿电压1600V，对应反向漏电流100μA；利用热电子发射理论，提取器件的肖特基势垒高度为0.86eV,理想因子为1.12。。

关键词： 4H-SiC 肖特基二极管功率品质因子击穿电压

For information in English, please click here

Study of the 4H-SiC Schottky with high current and figures of merit

SONG Qingwen ¹
宋庆文(1983年9月),男,副教授,硕导,主要研究方向:宽禁带半导体材料与器件
ZHANG Yuming ²

1、School of andvanced materials and nanotechnology,xidian university,xi'an 710071
2、School of microelectronics, xidian unniversity, xi'an 710071

Abstract：In this paper, the fabrication and characterization of a high performance 4H-SiC Schottky barrier recti?er (SBD) is reported using based on a 10μm 4H-SiC drift layer. Forward and breakdown voltage have been measured by the using Tektroni 371B Measurement results show that the forward current of 70Aat a forward voltage drop of 5.5V, correspongding forward current density of 1,750A/cm2, and near-ideal breakdown voltage of 1,600V has been achieved for reverse current up to 100μA. The Schottky barrier height and ideal factor were extracted to 0.86eV and 1.12.

Keywords： 4H-SiC Schottky arrier Diode Power quality factor Breakdwon voltage

基金：

1. 教育部博士点基金（编号：20130203120017）

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宋庆文，张玉明. 大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究[EB/OL]. 北京：中国科技论文在线 [2017-04-24]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201704-315.

No.4724938119292214****

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论文编号	201704-315
论文题目	大电流、高品质因子碳化硅肖特基二极管研究
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