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论文编号 201204-52
论文题目 电子束蒸发制备用于薄膜太阳能电池的硫化镉多晶薄膜
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电子束蒸发制备用于薄膜太阳能电池的硫化镉多晶薄膜

首发时间:2012-04-06

耿雷 1   

耿雷(1986-),男,硕士研究生,主要研究方向:半导体薄膜的制备。

徐岭 1   

徐岭(1963),博导,教授,主要研究方向: 1)II-VI族半导体纳米晶体光电特性 2)纳米硅、非晶硅微纳材料 3)硫系相变材料电学输运、相变性质研究。

苏为宁 2    于瑶 2    肖金荣 1    仝亮 1    徐骏 1    马忠元 1   
  • 1、南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京微结构国家实验室,南京 210093
  • 2、南京大学物理学院,南京微结构国家实验室,南京 210093

摘要:利用电子束蒸发方法,在P型硅及玻璃衬底上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜。对不同衬底温度制备的样品,通过XRD ,AFM,光学透过率谱和吸收谱等测试手段研究了CdS 多晶薄膜结构和光电性能。结果表明,CdS薄膜表面均匀、致密,均表现出沿<002>晶向的择优生长,随着衬底温度的升高,晶粒尺寸增大,择优取向增强。CdS薄膜的光学带隙在2.42-2.48 eV之间,随着衬底温度的升高而降低。CdS多晶薄膜与P型硅衬底形成的异质结表现出良好的整流特性和光伏效应,适合作为薄膜太阳能电池的窗口层。

关键词: CdS 多晶薄膜 电子束蒸发 薄膜太阳能电池

For information in English, please click here

Electron beam evaporated cadmium sulphide thin films for solar cell applications

Geng Lei 1   

耿雷(1986-),男,硕士研究生,主要研究方向:半导体薄膜的制备。

Xu Ling 1   

徐岭(1963),博导,教授,主要研究方向: 1)II-VI族半导体纳米晶体光电特性 2)纳米硅、非晶硅微纳材料 3)硫系相变材料电学输运、相变性质研究。

Su Weining 2    Yu Yao 2    Xiao Jinrong 3    Tong Liang 1    Xu Jun 1    Ma Zhongyuan 1   
  • 1、National Laboratory of Solid State Microstructures and Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Sciences and Technology, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093
  • 2、National Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093
  • 3、 National Laboratory of Solid State Microstructures and Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Sciences and Technology, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing 210093

Abstract:Cadmium sulphide (CdS) thin films were deposited by electron beam evaporation at different substrate temperatures. The structural characteristics were studied by the X-ray diffraction (XRD) pattern. The CdS films are polycrystalline, exhibiting a preferred orientation along the (002) plane. Atomic force microscopy (AFM) reveals that the root mean square (RMS) roughness of the films increases as the substrate temperature increases. The optical band gap values of CdS films decrease slightly with the increasing substrate temperature, in the range of 2.42-2.48 eV. The electrical characteristics of CdS/p-Si heterojunctions were investigated in dark condition and under illumination. Excellent rectifying and photovoltaic properties were observed.

Keywords: Cadmium sulphide electron beam evaporation substrate temperature solar cell

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耿雷,徐岭,苏为宁,等. 电子束蒸发制备用于薄膜太阳能电池的硫化镉多晶薄膜[EB/OL]. 北京:中国科技论文在线 [2012-04-06]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201204-52.

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