40nmCMOS工艺下的低压、低敏感性负阻负载全差分运算放大器设计

宁宁; 范洋; 眭志凌; 罗睿; 吴霜毅

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A Low-Sensitivity Negative Resistance Load Fully Differential OTA under Low Voltage 40nm CMOS Logic Process

首发时间：2012-03-23

Ning Ning ¹
Ning NING, Male, Associate professor in State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China
Fan Yang ¹ Sui Zhiling ¹ Luo Rui ¹ Wu Shuangyi ¹

1、State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China. Chengdu. P. R. China. 610054

Abstract：A low-sensitivity negative resistance load fully differential operational transconductance amplifier （OTA） with low supply voltage is proposed under standard 40nm logic CMOS process. By using optimized low-sensitivity negative resistance load, the gain immunity towards process variation is effectively improved. Simulated with 40nm logic process model and 1.1V power supply, the results show that the OTA obtained a gain enhancement of 23.85dB and the gain variations is greatly limited.

keywords： IC design negative resistance load 40nm CMOS process low sensitivity

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40nmCMOS工艺下的低压、低敏感性负阻负载全差分运算放大器设计

宁宁 ¹
Ning NING, Male, Associate professor in State Key Lab of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China
范洋 ¹ 眭志凌 ¹ 罗睿 ¹ 吴霜毅 ¹

1、电子薄膜与集成器件国家重点实验室，电子科技大学，成都，610054

摘要：本文提出了一种基于40nm CMOS低压工艺的低敏感性负阻负载全差分运算跨导放大器（OTA）。通过采用低敏感性的负阻负载电路，OTA对于工艺变化的敏感性得到了有效抑制。在40nm工艺和1.1V电源电压下对电路进行仿真，仿真结果表明，此结构让OTA的增益提高了23.85dB，同时增益的敏感性得到了大幅度的降低。

关键词：集成电路设计负阻负载 40nm CMOS 工艺低敏感性

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Ning Ning,Fan Yang,Sui Zhiling,et al. A Low-Sensitivity Negative Resistance Load Fully Differential OTA under Low Voltage 40nm CMOS Logic Process[EB/OL]. Beijing:Sciencepaper Online[2012-03-23]. https://www.paper.edu.cn/releasepaper/content/201203-688.

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论文编号	201203-688
论文题目	40nmCMOS工艺下的低压、低敏感性负阻负载全差分运算放大器设计
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